Si(111)相关论文
Under the support of Framework Program 7 of the European Union we were involved in the development of Multi-dimensional ......
用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上蒸发了Au/Cr和Au/Ti/Al/Ti两种金属缓冲层,然后在金属缓冲层上用气源分子束外延(GSMBE)生长GaN.......
为了降低MOCVD外延生长Si基GaN的缺陷密度,尝试引入超晶格插入层。界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错。......
随着二维材料研究的发展,单质元素按蜂窝状晶格排列形成的单质二维材料受到人们的关注。理论预测由Sn构成的单原子层晶体——锡烯......
<正>A kinetic Monte Carlo simulation is performed in order to study the effect of Sb as a surfactant on the growth of Ge......
用不同温度的AIN缓冲层在Si（111）衬底上外延GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜（SEM）和高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）的分析，研究了缓......
利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六......
使用薄膜分析系统研究在不同衬底温度下生长的硅基ZnO薄膜反射谱,了解衬底温度对薄膜的结晶状况影响。研究结果表明,随衬底温度的......
利用LP—MOCVD在Si（111）衬底上,以高温AIN为缓冲层,分别用低温GaN（LT—GaN）和偏离化学计量比富Ga高温GaN（HT—GaN）为过渡层外延生长六方......
采用化学溶液法在Si（111）衬底上制备了YMnO3薄膜。XRD结果表明，所制备的薄膜为六方纯相YMnO3，且具有部分择优取向生长。以Pt为顶电极，测......
采用集团模型和半经验的EHT方法研究Ce原子在Si(111)顶位和三度位吸附,由体系总能量最低确定了稳定的吸附位置,并在最稳定的三度吸......
利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM)研究了室温条件下沉积在Si(111)7×7重构表面不同覆盖度的Ag粒子.实验结果表明,低覆盖度......
在氧压20Pa,衬底温度600℃,靶材与衬底距离4cm的最优化条件下,利用脉冲激光沉积(PLD)技术首次在无诱导电压和任何缓冲层的情况下,......
Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜.利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度......
用超高真空扫描隧道显微镜首次同时清晰地分辨出Si(111)-(7×7) 表面每个元胞中的12个顶戴原子和6个静止原子,这6个静止原子的......
文章作者在Si(111)-(7×7)衬底上合成出位于同一主族的Pb的全同纳米团簇有序阵列．有趣的是，当衬底温度相对于最佳的生长温度范围......
为了降低MOCVD外延生长Si基CaN的缺陷密度，尝试引入超晶格插入层。界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错。即......
样品为P型的Si（111）片上真空充氩溅射了铂膜，厚度分别为540．700和1000A（用^244Pu同位素x光萤光法测量）。用连续的Nd：YAG激光扫描，速率恒定......
近日，中科院物理所表面物理国家重点实验室SF4研究组及其合作者在薄膜生长动力学研究中取得新进展．他们从实验和理论上研究了Si（111）单......
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射......
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射......
Hexagonal gallium nitride films were successfully fabricated through ammoniating Ga2O3 films deposited on silicon (111 )......
Effect of Oxygen Pressure on the Optical, Morphology and Structural Properties of TiO2： Cr Thin Film
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利用紧束缚分子动力学方法模拟研究了Si6团簇与Si(111)表面碰撞的微观过程.结果表明:Si6团簇在表面再构并吸附的能量阈值为10 eV,......
利用普适的紧束缚分子动力学模拟研究在不同入射条件下Si60团簇与Si(111)面的碰撞机理,结果表明Si60分子是"非弹性分子",入射角度......
利用半经验的紧事缚理论，实现了将结合能这一基本物理量向格点展开，既获得按格点标识的结合能，用这种方法计算原子的局域结合能比常规......
采用微波等离子体退火方法使溅射的金属Ti膜与Si(111)衬底发生固相反应,直接生成低阻态的金属硅化物薄膜,XRD检测显示最终生成的C5......
我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问......
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本文采用基于密度泛函理论（DFT）框架下的平面波超软赝势法研究了体相Si和Si（111）面。计算得到的体相Si的晶格常数、体积模量和结合能较......
本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜,以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,Zn（C2H5）2为锌源,N2为载气,在Si（111）衬底上生长ZnO薄......
采用分子束外延方法在Si(111)衬底上生长了PbSe/BaF2/CaF2薄膜,扫描电镜和X-光衍射分析显示,通过生长BaF2/CaF2缓冲层的方法,在Si(......
本文利用超高真空扫描隧道显微镜,研究了Ag和Sn两种金属在Si(111)衬底的不同重构表面上的初期生长和结构演变过程。通过观察低覆盖......
为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂；在高温GaN层中插入低温MN。低温MN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过......
用高温AlN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定......
ZnO是一种具有纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，在室温下激子束缚能高达60 meV，是一种非常理想的半导体材料。早期，由于生长技术的......
主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外......
为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为......
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长......
AlN是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度是6.2 eV,有着击穿电压高、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强等特点,在通信、电力电子、航......
A1N的禁带宽度为6.2eV,大于大部分的半导体材料,其载流子饱和漂移率、临界击穿场强、热导率、压电性能及耐高温抗辐射能力相比其他......
Si和SiO2是全世界最大的工业——电子工业中应用最广泛的材料,由于它在半导体器件和微电子技术中的广泛应用而受到人们的普遍关注......
随着应变硅(Strained Silicon)技术的产生及其研究的不断深入,人们已经认识到在半导体器件结构和材料中引入适当的应力,通过控制应......
报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装......
